[发明专利]固态图像传感器在审
申请号: | 202080051923.3 | 申请日: | 2020-07-02 |
公开(公告)号: | CN114127941A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 斋藤槙子;池户秀树 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明在抑制芯片面积增大的同时减少固态图像传感器内部不同区域之间的光和电荷的泄漏。固态图像传感器包括:第一区域,其包括多个像素和像素分离部件,多个像素各自包括光电转换元件并接收来自被摄体的光,像素分离部件用于拦截多个像素之间的光并为各像素遮光;第二区域,其设置在第一区域外部;以及遮光部件,其设置在第一区域与第二区域之间的至少部分区域中,并防止来自第一区域和第二区域中的一者的光入射到第一区域和第二区域中的另一者,并且所述遮光部件以在设置有所述光电转换元件的半导体基板的深度方向上延伸的状态下设置在所述半导体基板中,并且遮光部件被形成为在构造上与像素分离部件不同。 | ||
搜索关键词: | 固态 图像传感器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的