[发明专利]用于薄膜沉积的新V族和VI族过渡金属前体在审
| 申请号： | 202080052680.5 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN114269762A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 李国璨;S·V·伊瓦诺维;雷新建;李宏波 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C07F9/00 | 分类号： | C07F9/00;C07F11/00;C07F17/00;C23C16/18;C23C16/24;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述了用作沉积含V族和VI族膜的前体的V族和VI族化合物。带有烷基、胺基、亚胺基、脒基和/或环戊二烯基(Cp)配体的配体用于形成用作前体的V族和VI族配合物。V族和VI族前体化合物的实例包括但不限于Cp胺基亚胺基烷基钒化合物、Cp胺基亚胺烷基胺基钒化合物、Cp胺基亚胺基烷氧基钒化合物、Cp胺基亚胺基脒基钒化合物和烷基亚胺基三氯化钒化合物。V族和VI族前体用于以优异膜性能(如均匀性、连续性和低电阻)在衬底表面上沉积。用于沉积含金属膜的衬底表面的示例包括但不限于金属、金属氧化物和金属氮化物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 薄膜 沉积 vi 过渡 金属 | ||
【主权项】：
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