[发明专利]半导体器件的控制在审

专利信息
申请号: 202080052824.7 申请日: 2020-07-22
公开(公告)号: CN114144975A 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: J·L·彭诺科;J·P·莱索 申请(专利权)人: 思睿逻辑国际半导体有限公司
主分类号: H03K19/003 分类号: H03K19/003;H03K19/0948;H03K17/14;H03K17/16;H04N5/363;H04N5/3745
代理公司: 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 代理人: 李星宇;郑建晖
地址: 英国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请涉及半导体器件、特别是MOS器件的控制,以便降低RTS/闪烁噪声。一种电路(100)包括第一MOS器件(103、104)和偏压控制器(107)。所述电路能够至少以第一电路状态(PRO)和第二电路状态(PRST)操作,在所述第一电路状态下,所述第一MOS器件活动以促成第一信号(Sout),在所述第二电路状态下,所述第一MOS器件不促成所述第一信号。所述偏压控制器能够操作来控制在所述第一MOS器件的一个或多个端子处的电压以在所述第二电路状态的实例期间施加预偏压(VPB1、VPB2)。所述预偏压被施加来设置所述第一MOS器件内的电荷载流子陷阱的占用状态,以在所述第一电路状态下的后续操作期间限制噪声。在实施方案中,所述偏压控制器被配置为使得所述预偏压的至少一个参数是基于一个或多个操作条件在使用中选择性地可变的。
搜索关键词: 半导体器件 控制
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于思睿逻辑国际半导体有限公司,未经思睿逻辑国际半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202080052824.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top