[发明专利]半导体器件的控制在审
申请号: | 202080052824.7 | 申请日: | 2020-07-22 |
公开(公告)号: | CN114144975A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | J·L·彭诺科;J·P·莱索 | 申请(专利权)人: | 思睿逻辑国际半导体有限公司 |
主分类号: | H03K19/003 | 分类号: | H03K19/003;H03K19/0948;H03K17/14;H03K17/16;H04N5/363;H04N5/3745 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 李星宇;郑建晖 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本申请涉及半导体器件、特别是MOS器件的控制,以便降低RTS/闪烁噪声。一种电路(100)包括第一MOS器件(103、104)和偏压控制器(107)。所述电路能够至少以第一电路状态(P |
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搜索关键词: | 半导体器件 控制 | ||
【主权项】:
暂无信息
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