[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202080055599.2 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN114207832A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 后藤尚人;池泽直树;中田昌孝;佐藤亚美;三泽千惠子 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/24;H01L29/786;H01L21/34;H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式是一种包括半导体层、半导体层上的第一绝缘层以及第一绝缘层上的导电层的半导体装置。半导体层具有第一区域、一对的第二区域、一对的第三区域以及一对的第四区域。第二区域夹着第一区域设置，第三区域夹着第一区域及第二区域设置，第四区域夹着第一区域、第二区域及第三区域设置。第一区域具有与第一绝缘层及导电层重叠的区域，第二区域及第三区域分别具有与第一绝缘层重叠的区域且不与导电层重叠，第四区域不与第一绝缘层和导电层重叠。与第二区域重叠的区域的第一绝缘层的厚度大致相等于与第一区域重叠的区域的第一绝缘层的厚度。与第三区域重叠的区域的第一绝缘层的厚度比与第二区域重叠的区域的第一绝缘层的厚度薄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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