[发明专利]固态成像装置及其制造方法和电子设备在审
| 申请号： | 202080056829.7 | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN114223061A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 黑部利博 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 曹正建;陈桂香 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种固态成像装置包括具有栅电极的放大晶体管，该栅电极包括从半导体基板的基板表面沿深度方向嵌入的第一和第二垂直栅电极部。在第一和第二垂直栅电极部各者中，在距基板表面第二深度处的第二电极宽度短于在距基板表面的第一深度处的第一电极宽度。第一深度是第一垂直栅电极部和第二垂直栅电极部之间的沟道区域的最靠近基板表面的沟道顶面的位置。第二深度是第一垂直栅电极部和第二垂直栅电极部的最远离基板表面的垂直栅电极部底面的位置。第一电极宽度和第二电极宽度的方向与沟道区域的沟道宽度的方向相同。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 及其 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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