[发明专利]用于生产各自用于形成电子或光电器件的氮化物台面的方法在审
申请号: | 202080057484.7 | 申请日: | 2020-06-22 |
公开(公告)号: | CN114258591A | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 居伊·弗耶;布兰丁·阿卢安;胡贝特·博诺;罗伊·达格尔;耶苏·祖尼加·佩雷斯;马修·查尔斯;朱利安·巴克利;勒内·埃斯科菲耶 | 申请(专利权)人: | 原子能与替代能源委员会;国家科学研究中心 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/085;H01L33/24;H01L33/12;H01L33/32;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/778 |
代理公司: | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人: | 杨媛 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明特别涉及一种用于获得台面(550A、550B)的方法,台面至少部分地由氮化物(N)制成的,该方法包括以下连续步骤:‑提供叠置件,该叠置件包括基板(100)和从该基板(100)起连续地布置的至少下述层:‑第一层,被称为流变层(200);‑第二结晶层,被称为结晶层(300);‑通过对流变层(200)的至少一部分(220)和结晶层(300)进行蚀刻来形成垫(1000A1‑1000B4),使得:每个垫(1000A1‑1000B4)至少包括:‑第一部分,其被称为流变部分(200A1‑200B4),其由流变层(200)的至少一部分形成;第二结晶部分,其称为结晶部分(300A1、300B4),由结晶层(300)形成并覆在流变部分(200A1‑200B4)上;垫(1000A1‑1000B4)分布在基板(100)上,以便形成多个组(1000A、1000B)的垫(1000A1‑1000B4);‑在所述垫(1000A1‑1000B4)的至少一些垫上外延生长微晶(510A1‑510B4),并继续微晶(510A1‑510B4)的外延生长直到由同一个组(1000A、1000B)的相邻垫(1000A1‑1000B4)承载的微晶(510A1‑510B4)达到聚结。 | ||
搜索关键词: | 用于 生产 各自 形成 电子 光电 器件 氮化物 台面 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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