[发明专利]结晶膜、包含结晶膜的半导体装置以及结晶膜的制造方法在审
| 申请号： | 202080059351.3 | 申请日： | 2020-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN114270531A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 河原克明;大岛祐一;冲川满 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA;国立研究开发法人物质·材料研究机构 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;C30B23/04;C30B25/04 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种结晶膜，其包含结晶性金属氧化物为主成分，且具有刚玉结构，通过第一横向晶体生长在基板上形成第一横向晶体生长层，并在所述第一横向晶体生长层上配置掩模，进而通过第二横向晶体生长形成第二横向晶体生长层，从而得到位错密度为1×10 |
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| 搜索关键词： | 结晶 包含 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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