[发明专利]发光二极管和形成发光二极管的方法在审
| 申请号： | 202080062496.9 | 申请日： | 2020-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN114375500A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | A·皮诺斯;S·阿什顿;S·梅佐阿里 | 申请（专利权）人： | 普列斯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/20;H01L33/08;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨俊辉;臧建明 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成发光二极管(LED)前体的方法，包括：在基底上形成包括III族氮化物的第一半导体层，选择性地去除部分第一半导体层以形成台面结构，并形成单片LED结构。根据该方法，第一半导体层在第一半导体层的与基底相反的一侧上具有生长表面。根据该方法，选择性地去除第一半导体层以形成台面结构，使得第一半导体层的生长表面包括台面表面和体半导体表面。此外，单片LED结构在第一半导体层的生长表面上形成，使得单片LED结构覆盖台面表面和体半导体表面，单片LED结构包括多层，每层包括III族氮化物，单片LED结构包括：第二半导体层；设置在第二半导体层上的有源层，该有源层被配置为产生光；以及设置在有源层上的p型半导体层。在覆盖台面表面的p型半导体层的第一部分和覆盖体半导体表面的p型半导体层的第二部分之间提供势垒。该势垒围绕对台面表面进行覆盖的p型半导体层的第一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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