[发明专利]形成窄沟槽的方法在审

专利信息
申请号: 202080064261.3 申请日: 2020-09-17
公开(公告)号: CN114585969A 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 安东·J·德维利耶;约迪·格热希科维亚克;丹尼尔·富尔福德;理查德·A·法雷尔;杰弗里·史密斯 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: G03F7/16 分类号: G03F7/16;G03F7/30;G03F7/40;G03F7/00;G03F7/20;H01L21/027
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王伟楠;陈炜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种在基板上形成图案的方法。该方法包括在基板的下层上形成第一层,其中,第一层被图案化以具有第一结构。该方法还包括在第一结构的侧表面上沉积接枝材料,其中,接枝材料包括溶解性转移材料。该方法还包括将溶解性转移材料扩散预定距离进入邻接溶解性转移材料的相邻结构,其中,溶解性转移材料改变相邻结构在显影剂中的溶解性,并且使用显影剂去除相邻结构的可溶部分以形成第二结构。
搜索关键词: 形成 沟槽 方法
【主权项】:
暂无信息
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