[发明专利]量子阱场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202080064602.7 | 申请日： | 2020-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN114402439A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | M·J·曼弗拉;C·F·托马斯 | 申请（专利权）人： | 微软技术许可有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/205;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 美国华*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 量子阱场效应晶体管(QWFET)包括阻挡层、量子阱层和间隔层。量子阱层在阻挡层上。阻挡层和间隔层包括未掺杂的锑化铝铟。量子阱层包括锑化铟。间隔层在量子阱层上。量子阱层和间隔层在源极触点与漏极触点之间。栅极触点在介电层上，介电层在间隔层上。通过将阻挡层和间隔层设置为未掺杂的层，可以改善QWFET的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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