[发明专利]高性能高压隔离器在审
| 申请号： | 202080065845.2 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN114451069A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | J·A·韦斯特;T·D·博尼费尔德 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/00 | 分类号： | H05K1/00;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种集成电路(100D)包括半导体衬底(102)和位于半导体衬底上方的多个电介质层(122、128)，多个电介质层包括顶部电介质层(128D2)。金属板(132)位于顶部电介质层上方；金属环(120E)位于顶部电介质层上方并且基本上包围金属板(132)。保护涂层(141)覆盖金属环和金属板(132)。穿过保护涂层(141)形成沟槽开口(146)，沟槽开口(146)暴露了在金属板(132)和金属环(120E)之间的顶部电介质层(128D2)，沟槽开口(146)基本上包围金属板。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 高压 隔离器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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