[发明专利]半导体元件和半导体装置在审
| 申请号： | 202080069872.7 | 申请日： | 2020-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN114503284A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 今藤修 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/45;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体元件，其至少包含层叠结构体，所述层叠结构体通过在由氧化物半导体膜构成的半导体层上层叠第一金属层、第二金属层和第三金属层而成，第一金属层、第二金属层和第三金属层分别由互不相同的一种或两种以上的金属构成，第一金属层和第三金属层之间配置有第二金属层，第二金属层包含Pt或/和Pd，第一金属层与所述半导体层欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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