[发明专利]半导体元件在审
申请号: | 202080069877.X | 申请日: | 2020-10-05 |
公开(公告)号: | CN114503285A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 今藤修;松原佑典 | 申请(专利权)人: | 株式会社FLOSFIA |
主分类号: | H01L29/872 | 分类号: | H01L29/872;H01L29/47;H01L29/417;H01L29/24;H01L29/06;H01L25/18;H01L25/07;H01L21/28;H01L21/34 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 刁兴利;康泉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种具备平坦性优异且不易变形而能够实现良好的半导体特性的多孔层的半导体元件。半导体元件包含半导体膜和配置在半导体膜的第一面侧或作为第一面侧的相反侧的第二面侧的多孔层,所述多孔层的空隙率为10%以下。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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