[发明专利]用于发射ZENNECK表面波的各向异性本构参数在审
申请号: | 202080070624.4 | 申请日: | 2020-12-09 |
公开(公告)号: | CN114556741A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | B.R.吉恩;J.D.莉莉;B.J.廷林 | 申请(专利权)人: | CPG技术有限责任公司 |
主分类号: | H02J50/00 | 分类号: | H02J50/00;H02J50/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张晓明 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了与可以被用于发射Zenneck表面波的各向异性本构参数(ACP)相关的各种示例。在一个示例中,ACP系统包括分布在诸如例如陆地介质之类的介质上方的ACP元件的阵列。ACP元件的阵列可以包括在陆地介质上方以一个或多个朝向定位的径向电阻性人工各向异性电介质(RRAAD)元件的一个或多个水平层。ACP系统可以包括在垂直于一个或多个水平层的第三朝向上分布在陆地介质上方的垂直无损人工各向异性电介质(VLAAD)元件。ACP系统还可以包括分布在陆地介质上方的水平人工各向异性磁导率(HAAMP)元件。ACP元件的阵列可以分布在发射结构周围,发射结构可以用电磁场激励以促进Zenneck表面波的发射。 | ||
搜索关键词: | 用于 发射 zenneck 表面波 各向异性 参数 | ||
【主权项】:
暂无信息
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