[发明专利]用于EUV光刻的底层在审
| 申请号： | 202080073359.5 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN114556528A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 梁懿宸;A·M·查克;王玉宝;D·J·格雷罗 | 申请（专利权）人： | 布鲁尔科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/027;H01L21/02;C09D183/06;C08G77/14;G03F7/09 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 刘多益;项丹 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用作EUV硅硬掩膜层的新型光刻组合物。本发明提供了制造微电子结构的方法以及使用EUV光刻工艺而由此形成的结构。该方法包括利用光刻胶层正下方的硅硬掩膜层。硅硬掩膜层可以直接施涂于基板，也可以施涂于任何可施涂于基板的中间层。优选的硅硬掩膜层由可旋涂的聚合组合物形成。本发明的方法提高了粘附并减少或消除了图案塌陷问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 euv 光刻 底层 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
