[发明专利]垂直场效应晶体管和用于其构造的方法在审
| 申请号： | 202080073919.7 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN114586173A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | D·斯霍尔滕;J·巴林豪斯;D·克雷布斯 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/20;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种垂直场效应晶体管(200)，其具有：具有第一导电性类型的漂移区域(212)；在所述漂移区域(212)上或者在所述漂移区域(212)上方的半导体鳍片(302)，在所述漂移区域(212)上或者在所述漂移区域(212)上方的源电极/漏电极(202)；和在所述半导体鳍片(302)的至少一个侧壁旁边横向地布置在所述漂移区域(212)中的屏蔽结构(214)，其中，所述屏蔽结构(214)具有不同于所述第一导电性类型的第二导电性类型，其中，所述半导体鳍片(302)与所述源电极/漏电极(202)能导电地连接。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 场效应 晶体管 用于 构造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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