[发明专利]垂直场效应晶体管和用于其构造的方法在审
| 申请号： | 202080073952.X | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN114586174A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | D·斯霍尔滕;J·巴林豪斯;D·克雷布斯 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种垂直场效应晶体管(200)，其具有：带有第一导电性类型的漂移区域(204)；在所述漂移区域(204)上或者上方的半导体鳍片(206)；和在所述半导体鳍片(206)上或者上方的源/漏电极(214，216)，其中，所述半导体鳍片(206)具有能导电的区域(208)和限制结构(210)，所述能导电的区域将所述源/漏电极(214，216)与所述漂移区域(204)能导电地连接，所述限制结构横向地在所述能导电的区域(208)旁边构造并且从所述源/漏电极(214，216)到所述漂移区域(204)去地延伸，其中，所述限制结构(210)设置用于，将所述垂直场效应晶体管在所述半导体鳍片(206)中的导电的通道限制到所述能导电的区域(208)的区上。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 场效应 晶体管 用于 构造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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