[发明专利]光学装置的晶圆级制造在审
| 申请号： | 202080074592.5 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN114616655A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 桑德普·拉兹丹;维普尔库马尔·K·帕特尔;马克·A·韦伯斯特;马修·J·特拉弗索 | 申请（专利权）人： | 思科技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/48;H01L23/488;H01L21/768;H01L21/78;G02B6/12;G02B6/122;G02B6/13;G02B6/30;G02B6/42;G02B6/43 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 杨佳婧 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文描述的各方面包括一种方法，该方法包括：将光子晶圆与电子晶圆进行接合以形成晶圆组件；去除晶圆组件的衬底以暴露光子晶圆或电子晶圆的表面；在光子晶圆的金属层与电子晶圆的金属层之间形成电连接；以及通过在所暴露的表面处将中介层晶圆与晶圆组件进行接合来将中介层晶圆添加至晶圆组件。中介层晶圆包括与光子晶圆和电子晶圆中的一者或两者的金属层电耦合的贯穿过孔。该方法还包括切割晶圆组件以形成多个管芯。每个管芯的相应边缘耦合器在通过切割形成的界面处被光学暴露。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 装置 晶圆级 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于思科技术公司，未经思科技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080074592.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：热和挥发性有机化合物检测系统
- 下一篇：具有连续的葡萄糖监控的透析系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
