[发明专利]气相成长装置及气相成长方法在审
| 申请号： | 202080075012.4 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN114586133A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 南出由生;和田直之 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/24;C23C16/46;C30B25/10;C30B29/06;H01L21/687 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张泽洲;张一舟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供即使不调整晶圆(W)的上下加热比率也能够抑制升降销的位置对外延层造成的影响的气相成长装置(1)。在反应室(111)设置有搭载载具(C)的基座(112)、使载具(C)相对于基座(112)相对地上下移动的载具升降销(115)，载具升降销(115)在俯视观察将支承有晶圆(WF)的载具(C)搭载于基座(112)的状态的情况下，被比晶圆(WF)的外缘靠外侧地设置。 | ||
| 搜索关键词： | 相成 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
