[发明专利]用于场效应晶体管的控制栅极结构在审
| 申请号： | 202080077806.4 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN114651334A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 刘海涛;C·穆利 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/28;H01L27/11524;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了场效应晶体管，及包含此类场效应晶体管的设备，所述场效应晶体管包含上覆于半导体的栅极电介质及上覆于所述栅极电介质的控制栅极。所述控制栅极可包含含有多晶硅的第一含多晶硅材料的例子及含有多晶硅‑锗及多晶硅‑锗‑碳的第二含多晶硅材料的例子。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 场效应 晶体管 控制 栅极 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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