[发明专利]硅单晶的制造方法在审
| 申请号： | 202080078286.9 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN114616361A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 松村尚 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆日本股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供硅单晶的制造方法，该制造方法可制造在硅晶体长度方向具有更均匀的氧浓度分布的硅单晶。硅单晶的制造方法，其是通过直拉法从收纳在石英玻璃坩埚(3)内的硅熔液中提拉硅单晶，其中，使用上述透明内层的厚度(t)与上述石英玻璃坩埚的侧壁厚度(T)的比率(t/T)从石英玻璃坩埚侧壁的上部到下部进行了调整的石英玻璃坩埚，所提拉的硅单晶的晶体生长轴方向的氧浓度的偏差为20%以内。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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