[发明专利]半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法在审
| 申请号： | 202080079763.3 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN114747102A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 高山彻;油本隆司;横山毅;中谷东吾;高须贺祥一 | 申请（专利权）人： | 新唐科技日本株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体发光元件(1)具备基板(10)、配置在基板(10)的上方的n型包层(12)、配置在n型包层(12)的上方的活性层(14)和配置在活性层(14)的上方的p型包层(17)；活性层(14)具有阱层(14d)、配置在阱层(14d)的n型包层(12)侧的n侧第一势垒层(14a)和配置在阱层(14d)的p型包层(17)侧的p侧势垒层(14f)；p侧势垒层(14f)包含In；n侧第一势垒层(14a)的In组份比低于p侧势垒层(14f)的In组份比；n侧第一势垒层(14a)的带隙能量小于p侧势垒层(14f)的带隙能量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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