[发明专利]固态成像装置和电子装置在审
申请号: | 202080079978.5 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN114730781A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 西田庆次 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 瓮芳;陈桂香 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种能够在减小相同颜色之间的灵敏度差异的同时抑制不同颜色之间的混色的固态成像装置。固态成像装置包括:多个光电转换单元,形成在基板上且根据入射光的光量而产生信号电荷;微透镜阵列,包括微透镜,微透镜针对包括相邻的至少两个以上的光电转换单元21的光电转换单元组而形成且将入射光引导至光电转换单元组;散射体,布置在由微透镜会聚的入射光的光路上;和像素间遮光部,包括沟槽和填充在沟槽中的绝缘材料,沟槽形成在光电转换单元组的光电转换单元和与该光电转换单元组相邻的光电转换单元之间。沟槽的散射体侧的内侧面的开口侧是以沟槽宽度朝向沟槽的底部变窄的方式倾斜的平面。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 电子 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的