[发明专利]在悬浮的马约拉纳费米子设备中的离子注入限定的纳米棒在审
申请号: | 202080080387.X | 申请日: | 2020-11-13 |
公开(公告)号: | CN114730793A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | S·霍姆斯;D·萨达纳;S·哈特;P·古曼;S·比德尔;李宁 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L27/18 | 分类号: | H01L27/18 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 于静;刘薇 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了可以有利于在半导电设备中的包括离子注入限定的纳米棒(406)的悬浮的马约拉纳费米子设备(2206)的设备、系统、方法、计算机实现的方法、装置和/或计算机程序产品。根据实施例,量子计算设备可以包括耦合到离子注入区(404)的马约拉纳费米子设备。量子计算设备可以还包括耦合到离子注入区和衬底层的封装膜(1404)。封装膜使马约拉纳费米子设备悬浮在量子计算设备中。 | ||
搜索关键词: | 悬浮 马约拉纳 费米 设备 中的 离子 注入 限定 纳米 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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