[发明专利]氮化钛硅势垒层在审
| 申请号： | 202080081318.0 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN114747033A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 许在锡;J·麦克;S·J·拉蒂;N·慕克吉 | 申请（专利权）人： | 尤金纳斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 顾晨昕 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 所公开的技术大体上涉及一种包括氮化钛硅的势垒层，且更特定来说涉及一种用于非易失性存储器装置的势垒层，及其形成方法。在一个方面中，一种形成用于相变存储器装置的电极的方法包括在半导体衬底上方在经配置以存储存储器状态的相变存储元件上形成包括氮化钛硅(TiSiN)的电极。形成所述电极包括使半导体衬底暴露到一或多个周期性气相沉积循环，其中多个所述周期性气相沉积循环包括暴露到Ti前体、暴露到N前体及暴露到Si前体。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 钛硅势垒层 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于尤金纳斯股份有限公司，未经尤金纳斯股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080081318.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：交互感知和内容呈现的系统和方法
- 下一篇：以氮化钛为主的保形薄膜及其形成方法
