[发明专利]包括多层壕沟隔离结构的三维存储器器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202080081723.2 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114730755A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 大津良孝;今井宗之;金泽纯平 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马姣琴;臧建明 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种形成三维存储器器件的方法，该方法包括：形成第一绝缘层和第一牺牲材料层的第一层交替堆叠；使用相同的蚀刻步骤穿过该第一交替堆叠形成第一层存储器开口、第一层支撑开口和第一层壕沟沟槽；在相同的沉积步骤期间在第一壕沟层沟槽中形成第一介电壕沟结构并且在第一层支撑开口中形成第一支撑柱结构；在第一层存储器开口中形成存储器堆叠结构；在形成该第一介电壕沟结构之后穿过该第一层交替堆叠形成背侧沟槽；穿过该背侧沟槽用第一导电层替换第一牺牲材料层的部分；以及穿过被该第一介电壕沟结构围绕的第一绝缘板和第一介电材料板的第一竖直交替序列形成至少一个直通存储器层级互连通孔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 多层 壕沟 隔离 结构 三维 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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