[发明专利]电磁波检测器以及电磁波检测器集合体在审
| 申请号： | 202080085891.9 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN114846628A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 福岛昌一郎;岛谷政彰;奥田聪志;小川新平 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;G01J1/02;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李今子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 电磁波检测器具备：半导体层(4)，形成有台阶部(40)，且对于检测波长具有灵敏度；绝缘膜(3)，配置于台阶部(40)上，且设置有使台阶部(40)的一部分露出的开口部(3a)；二维材料层(1)，配置于绝缘膜(3)以及开口部(3a)上，且具有在开口部(3a)与半导体层(4)电连接的连接区域(1c)；第1电极部(2a)，配置于绝缘膜(3)上，与二维材料层(1)电连接；以及第2电极部(2b)，配置于半导体层(4)上，经由二维材料层(1)的连接区域(1c)而与第1电极部(2a)电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 电磁波 检测器 以及 集合体 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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