[发明专利]反射型掩模坯、反射型掩模、反射型掩模的制造方法、以及反射型掩模的校正方法在审
| 申请号： | 202080086842.7 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114930245A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 松井一晃;小岛洋介 | 申请（专利权）人： | 凸版光掩模有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/58 | 分类号： | G03F1/58;G03F1/24;G03F1/48;G03F1/52;H01L21/302;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 常海涛;金小芳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供即使在薄膜吸收膜所使用的材料对于EUV光的消光系数k大的情况下，也能够缩短电子束校正蚀刻所需时间的反射型掩模坯、反射型掩模、反射型掩模的制造方法、以及反射型掩模的校正方法。本实施方式涉及的反射型掩模坯(10)具有：基板(1)、多层反射膜(2)、封盖层(3)、低反射部(5)，低反射部(5)由吸收膜(A)和吸收膜(B)交替层叠而成，吸收膜(A)的电子束校正时的校正蚀刻速率大于吸收膜(B)的电子束校正时的校正蚀刻速率，吸收膜(B)含有选自锡、铟、铂、镍、碲、银及钴中的1种以上的元素。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 型掩模坯 型掩模 制造 方法 以及 校正 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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