[发明专利]纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物在审
| 申请号： | 202080088420.3 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114830298A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 德永光;中岛诚 | 申请（专利权）人： | 日产化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;C08G4/00;C08G12/26;B29C59/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李渊茹;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供在高温烧成时也显示异常高的疏水性、良好的平坦化性，可以通过变更分子骨架来调整为适应于工艺的光学常数、蚀刻速度的纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有下述式(1)所示的重复单元结构的酚醛清漆树脂，[在式(1)中，基A表示具有芳香族环、稠合芳香族环、或稠合芳香族杂环的有机基，基B表示具有芳香族环或稠合芳香族环的有机基，基E表示单键、或者可以被取代且可以包含醚键和/或羰基的支链或直链的碳原子数1～10的亚烷基，基D表示式(2)所示的碳原子数1～15的有机基，n表示1～5的数。(式(2)中，R |
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| 搜索关键词： | 纳米 压印 用抗蚀剂 下层 形成 组合 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
