[发明专利]含有稀土的SiC基板和SiC外延层的制造方法在审
| 申请号： | 202080089055.8 | 申请日： | 2020-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN114901875A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 松岛洁;渡边守道;吉川润 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;H01L21/20;H01L21/203;H01L21/205;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 王刚;龚敏 |
| 地址： | 日本国爱知*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
SiC复合基板(10)具备SiC单晶层(20)和含有稀土的SiC层(30)。含有稀土的SiC层(30)含有稀土元素，该稀土元素的浓度在1×10 |
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| 搜索关键词： | 含有 稀土 sic 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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