[发明专利]用于半导体-超导体混合结构的超导体异质结构在审
| 申请号： | 202080089201.7 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN114846633A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | G·C·加德纳;R·L·卡拉赫尔;S·V·格罗宁;M·J·曼弗拉 | 申请（专利权）人： | 微软技术许可有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L39/22 | 分类号： | H01L39/22;H01L39/24 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 美国华*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体‑超导体混合结构(10)(优选采用纳米线的形式)包括在半导体层(12)上的超导体异质结构(14)。超导体异质结构至少包括在半导体层上的第一超导体层(14A)和在第一超导体层上的第二超导体层(14B)，其中第一超导体层包括第一超导材料并且第二超导体层包括与第一超导材料不同的第二超导材料。通过提供多层不同的超导材料，诸如铝和铅，与传统的超导同质结构相比，可以改善超导体异质结构的超导和物理性质，由此提高半导体‑超导体混合结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 超导体 混合结构 结构 | ||
【主权项】：
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