[发明专利]用于沉积二维的层的方法以及CVD反应器

摘要

本发明涉及一种用于在CVD反应器(1)的至少一个基材(4)上沉积二维的层的方法，在所述方法中，借助输入管路(10、20)将工艺气体馈送到进气机构(2)的气体分配室(11、21)中，所述进气机构具有第一气体分配室(11)和至少一个与所述第一气体分配室不同的第二气体分配室(21)，并且在所述方法中，通过加热装置(6)使所述基材(4)达到过程温度(Tp)。为了沉积异质结构建议，在第一步骤中将惰性气体或者稀释气体馈送到所述第一气体分配室(11)中，并且将反应性气体馈送到第二气体分配室(21)中，所述反应性气体在所述处理室(3)中热解地分解，其中，分解产物形成二维的第一层，并且在第二步骤中在所述第一层上方和/或旁边沉积第二层，其中，将惰性气体或者稀释气体馈送到所述第二气体分配室(21)中并且将包含二维的第二层的元素的反应性气体馈送到所述第一气体分配室(11)中，所述反应性气体或者气体混合物在所述处理室(3)中分解，其中，分解产物形成二维的第二层。