[发明专利]一种钯原位修饰铜钴掺杂二氧化铈纳米球的制备方法在审
| 申请号： | 202110000804.1 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112547094A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 崔康;李旭;周晨曦;于京华 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | B01J23/89 | 分类号： | B01J23/89;B01J35/08;B01J37/08;B01J37/16;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250022 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种钯原位修饰铜钴掺杂二氧化铈纳米球的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。在该发明过程中，利用溶剂热法，以乙二醇为溶剂，经过高温高压反应得到铜钴双掺杂球形二氧化铈纳米球；用化学还原的方法将氯钯酸钠中的钯元素原位修饰到铜钴双掺杂二氧化铈纳米球表面得到钯原位修饰铜钴掺杂二氧化铈纳米球。钯原位修饰铜钴掺杂二氧化铈纳米球形貌规整，尺寸均一，在有机溶剂中具有良好的分散性，其较好的微观结构在改善二氧化铈催化活性，使其在电化学生物传感器的构造中具有重要的意义，并具有提高电化学生物传感器灵敏度的巨大潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原位 修饰 掺杂 氧化 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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