[发明专利]一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片在审
| 申请号： | 202110001937.0 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112635626A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;蔡建九;卓祥景;尧刚 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00;H01L33/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市厦门火*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，包括在所述衬底表面依次堆叠N型半导体层、消闸层、有源层、P型半导体层，通过外延结构设计，释放多余的电子，有效提高电子浓度，增加电子隧穿几率，提高晶体质量的同时降低LED的工作电压，提高LED的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 外延 结构 及其 制作方法 led 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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