[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202110002076.8 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112838093A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 吴保润;沈保家;李军辉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11563 | 分类号： | H01L27/11563;H01L27/11582;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;马陆娟 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件的制造方法。该半导体器件的制造方法包括：形成沟道孔；向沟道孔内充入氢气，至少使沟道孔的底部浸透在氢气中；向沟道孔内充入氧气；以及对沟道孔中进行氧化反应进而形成阻挡介质层。本申请通过在沟道孔内进行氧化之前，预先加入氢气浸透工艺，使得氢气至少扩散至沟道孔的底部，进而在氧化过程中，沟道孔中的氢气与氧气接触后产生更多的氧基(O*radical)，进一步改善了氧化形成的阻挡介质层的可靠性，提升存储器件的电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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