[发明专利]一种单晶生长的坩埚和方法在审
申请号: | 202110003012.X | 申请日: | 2021-01-04 |
公开(公告)号: | CN112877771A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 魏汝省;李斌;赵丽霞;毛开礼;戴鑫;范云;靳霄曦;樊晓 | 申请(专利权)人: | 山西烁科晶体有限公司 |
主分类号: | C30B23/00 | 分类号: | C30B23/00;C30B29/36 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 刘奇 |
地址: | 030006 山西省太*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明提供了一种单晶生长的坩埚和方法,属于晶体生长技术领域。本发明提供的坩埚包括坩埚本体,所述坩埚本体包括保温结构,置于所述保温结构内部的加热坩埚,置于所述加热坩埚内部的生长坩埚;所述保温结构与加热坩埚底部相互接触,所述加热坩埚和生长坩埚底部相互接触;所述保温结构和加热坩埚的侧壁之间、所述加热坩埚和生长坩埚的侧壁之间有空隙。本发明的坩埚在加热坩埚和生长坩埚之间设置空隙并有气流通过,将从生长坩埚扩散出来的气氛由两层坩埚间的气流直接带出坩埚,避免了生长坩埚内挥发的气氛对加热坩埚以及保温结构的腐蚀,极大的延长了加热坩埚及保温材料的寿命;同时,保证了生长坩埚内的热场稳定,进而提高单晶生长的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 生长 坩埚 方法 | ||
【主权项】:
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