[发明专利]AlGaInP发光二极管的外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110003558.5 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112909138B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 邢振远;曹敏;孙建建;王世俊;李彤 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/30;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种AlGaInP发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。外延片包括：GaAs衬底和外延层，外延层包括依次层叠在GaAs衬底上的缓冲层、DBR层、N型AlInP限制层、MQW发光层、P型AlInP限制层和P型GaP扩展层，DBR层包括多个周期性交替层叠的AlGaAs层和AlAs层，沿外延层的层叠方向，DBR层的最后一个层为AlGaAs层，DBR层的最后一个层中Al组分含量低于N型AlInP限制层中Al组分含量，外延层还包括插入层，插入层位于DBR层的最后一个层和N型AlInP限制层之间，插入层为AlAs层或AlGaInP层，插入层的禁带宽度介于DBR层的最后一个层的禁带宽度和N型AlInP限制层的禁带宽度之间。本公开能够有效的降低DBR层和N型AlInP限制层之间界面处对电子的阻挡。 | ||
| 搜索关键词： | algainp 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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