[发明专利]一种蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管反向漏电改善方法及肖特基二极管在审
| 申请号： | 202110004369.X | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112838130A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 耿莉;刘江;杨明超;刘卫华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L21/324 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管反向漏电改善方法及肖特基二极管，在蓝宝石基GaN样品上制备光刻胶腌膜；然后采用感应耦合等离子干法刻蚀工艺在制备有光刻胶腌膜的蓝宝石基GaN样品上进行刻蚀操作，直到刻蚀到n |
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| 搜索关键词： | 一种 蓝宝石 gan 垂直 肖特基 二极管 反向 漏电 改善 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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