[发明专利]三维存储器及其制作工艺

摘要

本发明提供了一种三维存储器及其制作工艺。该三维存储器，包括衬底、存储结构和栅极层叠结构，栅极层叠结构设置在衬底上，存储结构垂直贯穿栅极层叠结构设置，栅极层叠结构包括交替层叠设置的栅极层和栅绝缘层，栅绝缘层内具有多个空气隙，存储结构与栅极层对应的位置设置有高K介质层。栅绝缘层内具有多个空气隙，具有空气隙的栅绝缘层222的介电常数低于现有技术中常规的栅绝缘层的介电常数，因此，可以降低寄生电容，进而降低浮栅的滚降比和电压。