[发明专利]氮极性面GaN材料及其制作方法在审
| 申请号： | 202110005849.8 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN112735944A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 薛军帅;孙志鹏;李蓝星;杨雪妍;姚佳佳;张赫朋;刘芳;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/778 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;黎汉华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮极性面GaN材料及其制作方法，主要解决现有氮极性面GaN材料结晶质量差、表面形貌粗糙、背景载流子浓度高、制作工艺流程复杂等问题。其材料结构，自下而上包括衬底、ScN成核层、氮极性面GaN外延层。其制作步骤为：在衬底基片上，利用分子束外延方法生长厚度为10nm‑100nm的ScN成核层；用分子束外延方法，在ScN成核层上生长GaN外延层，完成材料制备。本发明材料结晶质量高，表面形貌光滑，背景载流子浓度低，生长工艺简单，工艺重复性和一致性高，可用于制作高电子迁移率晶体管和微波毫米波单片集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 gan 材料 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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