[发明专利]一种具有缓冲层的低功耗的相变存储单元及其制备方法有效
| 申请号： | 202110006495.9 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN112909161B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 徐明;徐开朗;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州宇信联合知识产权代理有限公司 33401 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种具有缓冲层的低功耗的相变存储单元及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。一种具有缓冲层的低功耗的相变存储单元包括衬底以及依次设置在衬底上的底电极、绝缘层和顶电极，绝缘层中具有连通顶电极和底电极的通孔，通孔内依次设置有加热电极、缓冲层和相变材料功能层，加热电极的下表面与底电极接触，相变材料功能层的上表面与顶电极接触，缓冲层材料为CuSbM |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 缓冲 功耗 相变 存储 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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