[发明专利]一种具有超晶格结构缓冲层的相变存储单元及制备方法在审
| 申请号： | 202110006769.4 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN112909162A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 徐明;于闰;徐开朗;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州宇信联合知识产权代理有限公司 33401 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有超晶格结构缓冲层的相变存储单元及制备方法，属于微纳米电子技术领域。一种具有超晶格结构缓冲层的相变存储单元利用周期性交替层叠的n个第一子层和n个第二子层构成的超晶格结构作为缓冲层，第一子层和第二子层的材料均为热电材料。热电材料具有较低的热导率，同时，由于超晶格材料的层厚度会影响膜密度，通过减小膜密度可以减小热导率。因此，用热电材料的超晶格结构薄膜作为缓冲层，可以利用薄膜的低热导率提高缓冲层的保温性和隔热效果，从而减少相变材料与电极之间的热传导，减少相变材料向外的热辐射，进而降低操作功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 晶格 结构 缓冲 相变 存储 单元 制备 方法 | ||
【主权项】：
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