[发明专利]一种NbGe2有效

专利信息
申请号: 202110006997.1 申请日: 2021-01-05
公开(公告)号: CN112647129B 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 许祝安;吕柏江;陶前;李妙聪 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C30B29/10 分类号: C30B29/10;C30B28/02;C30B25/00;H01L43/10
代理公司: 杭州坚果知识产权代理事务所(普通合伙) 33366 代理人: 张剑英
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及了一种高品质NbGe2单晶,该晶体为六方晶系,其空间群为P 62 2 2(No.180),晶胞参数为:a=b,其范围是5.002±0.001Å,c的范围为6.834±0.002Å,α=β=90°,γ=120°,晶胞体积为:(1.481±0.004)×10‑28 m3。本发明还涉及高品质NbGe2单晶的制备方法,将Nb和Ge在氩气气氛中进行研磨混合,然后真空煅烧,然后再将得到的粉末和适量的I2混合并封装于真空容器里,在低温端973 K~1023K的基础温度上以以温度梯度3 K/cm~7 K/cm反应72~168个小时,最后在低温端获得了NbGe2单晶,NbGe2单晶大小可为0.5×0.5×0.5mm3~1.5×1.5×1.5 mm3,剩余电阻率RRR的大小为650~1100,还涉及作为巨磁电阻材料的应用。本发明制备的NbGe2单晶是一种新型的具有线性巨磁电阻效应的材料,可以作为一种新的巨磁电阻材料应用并且制备方法简单易于实现。
搜索关键词: 一种 nbge base sub
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学,未经浙江大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110006997.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top