[发明专利]晶片加工方法和晶片加工装置在审
| 申请号： | 202110008119.3 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN113078108A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 能丸圭司 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B23K26/38;B23K26/402;B23K26/70 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供晶片加工方法和晶片加工装置，无论晶片的种类或加工的种类而能够高效地将晶片加工成各个芯片。根据本发明，提供晶片加工方法和晶片加工装置，该晶片加工方法构成为包含如下的工序：保持工序，将晶片(10)保持于保持单元(4)；破坏层形成工序，将冲击波(PL3)的会聚点(P1)定位于保持单元(4)所保持的晶片(10)而在要分割的区域形成破坏层(S1)；以及分割工序，将破坏层(S1)作为起点而将晶片(10)分割成各个芯片(12’)。该晶片加工装置构成为包含：保持单元，其对晶片进行保持；以及破坏层形成单元，其将冲击波的会聚点定位于保持单元所保持的晶片而在要分割的区域形成破坏层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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