[发明专利]一种基于薄膜晶体管的DNA传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110008217.7 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN112864252A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 王军;陈赛赛;毛毓珂;王桂东;蔡金华 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L21/336;H01L21/34;G01N27/327 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 吴文滨 |
| 地址： | 201418 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于薄膜晶体管的DNA传感器及其制备方法，DNA传感器包括薄膜晶体管及DNA分子探针，薄膜晶体管包括基板衬底、栅电极、绝缘层、源漏电极及半导体层，基板衬底、栅电极、绝缘层由下而上依次设置，半导体层设置在绝缘层上，源漏电极与半导体层接触，DNA分子探针固定在源漏电极上。与现有技术相比，本发明采用源漏电极作为基底，在源漏电极上固定DNA分子探针，避免了有机半导体层上的物理吸收对水分和某些离子的影响，改善了电荷注入，增强了传感器饱和电流和载流子迁移率，从而提高了DNA传感器的稳定性和灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 薄膜晶体管 dna 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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