[发明专利]一种降低导通电阻的Trench MOSFET结构在审
| 申请号： | 202110011382.8 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN113013247A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 胡盖;黄传伟;夏华秋;诸建周;吕文生 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 214142 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是降低导通电阻的Trench MOSFET结构，其结构包括衬底层和位于衬底层表面的源区金属层、漏区金属层、栅区金属层；衬底层上方与源区金属层、漏区金属层、栅区金属层之间从下至上依次设有水平N+漏层、N‑漂移区、P型阱区层和N+型源区层；还包括双沟槽结构：槽型多晶硅栅区和槽型场氧；槽型场氧右侧设与水平N+漏层连接的纵向N+漏区；源区金属层、漏区金属层、栅区金属层分别通过接触孔内金属分别与N+型源区层、纵向N+漏区、槽型多晶硅栅区连接。本发明的优点：结构设计合理，利用表面漏区缩短了载流子在高阻区的漂移路径，能有效的减少其导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 通电 trench mosfet 结构 | ||
【主权项】：
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