[发明专利]一种ZnCdS薄膜的制备方法及铜锌锡硫硒太阳电池的制备方法有效
| 申请号： | 202110011731.6 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN112837997B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 周正基;袁胜杰;徐圳;武四新 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王术娜 |
| 地址： | 475004*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种ZnCdS薄膜的制备方法及铜锌锡硫硒太阳电池的制备方法，属于太阳电池技术领域。本发明采用化学水浴沉积法制备ZnCdS薄膜，方法简单，且制备的ZnCdS薄膜均匀致密、无针孔出现。本发明通过化学水浴沉积法在CZTSSe吸收层表面沉积ZnCdS缓冲层，继而优化ZnCdS薄膜的带隙和能级结构，ZnCdS薄膜和CZTSSe吸收层薄膜形成有利于光生载流子分离和传输的spike型界面能级结构。同时，由于ZnCdS薄膜的带隙较大，有效降低了缓冲层对短波谱段可见光的无效光吸收，增加了CZTSSe太阳电池对太阳光的利用效率，从而使CZTSSe光伏器件的光电转换效率有了明显的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zncds 薄膜 制备 方法 铜锌锡硫硒 太阳电池 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
