[发明专利]一种多芯片并联IGBT模块可靠性综合评价方法及系统有效
| 申请号： | 202110012177.3 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN112818622B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 何怡刚;王晨苑;李猎;杜博伦;张慧;何鎏璐 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F119/02;G06F119/04 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 张宇 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种多芯片并联IGBT模块可靠性综合评价方法及系统，其中，方法的实现包括：建立多芯片并联IGBT模块栅极‑发射极电压可靠性模型，并进行芯片疲劳故障测试，选取栅极‑发射极电压为故障特征量；建立多芯片并联IGBT模块跨导的可靠性模型，并进行键合线脱落故障测试，选取模块传输特性曲线为故障特征量；用皮尔逊相关系数表征IGBT模块健康度，分别计算不同程度下的芯片疲劳和键合线脱落故障状态下的健康度PPMCC |
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| 搜索关键词： | 一种 芯片 并联 igbt 模块 可靠性 综合 评价 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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