[发明专利]一种碳化硅场效应管的串扰抑制电路及方法在审
| 申请号： | 202110013938.7 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN112787643A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 兰欣;刘祥龙;王兴华;朱士伟;谢国芳;吴平;于功山 | 申请（专利权）人： | 元山（济南）电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/16 | 分类号： | H03K17/16 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 董延丽 |
| 地址： | 250118 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种碳化硅场效应管的串扰抑制电路及方法，用以解决现有的桥臂电路中出现串扰的技术问题。电路包括：上桥臂电路、下桥臂电路；上桥臂电路包括上开关管S_H以及第一低阻抗回路；第一低阻抗回路的一端连接上开关管S_H的第二极，第一低阻抗回路的另一端连接上开关管S_H的第三极，同时连接下开关管S_L的第一极；第一低阻抗回路用于抑制上开关管S_H的第二极与第三极之间的正向串扰电压以及负向串扰电压；下桥臂电路包括下开关管S_L以及第二低阻抗回路；第二低阻抗回路用于抑制下开关管S_L的第二极与第三极之间的正向串扰电压以及负向串扰电压。本申请通过上述电路实现了上下开关管之间的串扰抑制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 场效应 抑制 电路 方法 | ||
【主权项】：
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