[发明专利]3D存储器件及其读取方法有效
| 申请号： | 202110013950.8 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN112614531B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 程婷;刘红涛;靳磊;赵向南;谢学准;夏仕钰;闵园园 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/34;G11C5/14;G11C7/18;G11C8/14 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 岳丹丹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了一种3D存储器件及其读取方法，3D存储器件包括多个存储单元串，每个存储单元串包括多个存储单元，每个存储单元串最顶部存储单元连接至顶部选择管，顶部选择管连接至位线，存储单元串最底部的存储单元连接至底部选择管，读取方法包括：根据编程顺序对一存储单元串的多个存储单元依次进行编程；对一个存储单元进行读取操作时，根据存储单元的编程顺序向存储单元串施加不同的位线电压。本申请根据存储单元的编程顺序调整向存储单元串施加不同的位线电压，先编程的存储单元在读取时采用较大的位线电压，增大存储单元串上的电流，从而减小BPD效应引起的Vt正向漂移及展宽以增加读窗口边距，降低读干扰的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 读取 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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